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圖像可以將光學圖像轉換為電子信息，在電子光學設備中應用廣泛。未來的可穿戴智能設備要求圖像傳感器具有柔性可以彎曲折疊，而目前在數(shù)碼相機中廣泛應用的集成圖像傳感器，由于不具有柔性難以滿足未來需求。目前研究認為，柔性低維材料是硅基底的理想替代者。
合肥工業(yè)大學與韓國成均館大學近期組成聯(lián)合科研團隊，提出了一種新的界面限域外延生長方法，成功制備出高質量大晶粒非層狀結構硒化鎳薄膜。他們通過硒化鎳微米帶陣列的圖形化生長，構筑高性能且均勻性好的光探測器陣列，為柔性圖像傳感器的實現(xiàn)奠定了基礎。
據介紹，由于這種新型材料薄膜的晶粒達到微米尺度，晶粒間的晶界減少，顯著降低了晶界對載流子的散射，從而大幅提高了光探測器的響應度。實驗結果表明，基于微米尺度晶粒的高質量硒化鎳薄膜所制備的光探測器，每瓦光照可以獲得150安培的電流，其響應度比納米尺度晶粒的薄膜提高了4個量級。
